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SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

更新時(shí)間:2016-10-13      瀏覽次數(shù):982

   SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種*測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。它淘汰了QSI高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓,抗干擾能力強(qiáng), 測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn),是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。

    SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場(chǎng)或?qū)嶒?yàn)室測(cè)試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測(cè)試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測(cè)試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測(cè)試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測(cè)試。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz,55Hz或65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場(chǎng)對(duì)測(cè)試的干擾,從根本上解決了強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測(cè)的場(chǎng)合。該全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀配以絕緣油杯可測(cè)試絕緣油介質(zhì)損耗。

產(chǎn)品特點(diǎn):

1、超大液晶中文顯示 
SXJSY-05型全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀配備了大屏幕(105mm×65mm)中文菜單界面,屏顯分為左右兩部分,左邊為功能菜單區(qū),右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示,每一步都非常清楚,操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作,微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測(cè)量,是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。 
2、海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器,能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出; 
3、科學(xué)*數(shù)據(jù)管理 
儀器數(shù)據(jù)可以通過RS232導(dǎo)出,可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司軟件,查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。 
4、多種測(cè)試模式 
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測(cè)試;在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓(大于10kV)介質(zhì)損耗。 
5、CVT測(cè)試一步到位 
還可以測(cè)試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量,實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測(cè)試。該儀器還可以測(cè)試CVT變比和電壓角差。 
6、高速采樣信號(hào) 
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。 
7、多重保護(hù)安全可靠 
    儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。

技術(shù)參數(shù):

1.環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)
2.相對(duì)濕度:30%~70%
3.供電電源:電壓:220V±10%,頻率:50±1Hz
4.外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高=490mm×300mm×390mm
5.重量:約18Kg
6.輸出功率:1KVA
7.顯示分辨率:4位
8.測(cè)量范圍:
介質(zhì)損耗(tgδ):0-50% 
電容容量(Cx)和加載電壓:
2.5KV檔:≤ 300nF( 300000pF)
3KV檔:≤200nF( 200000pF)
5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)
7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)
10KV檔:≤ 20nF( 20000pF)
9.基本測(cè)量誤差:
介質(zhì)損耗(tgδ): 1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接
介質(zhì)損耗(tgδ): 2%±0.09%(加載電流 5μA~20μA)反接
電容容量 ( Cx):1.5%±1.5pF

 

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